论文部分内容阅读
本文用磁控溅射法（RMS）制备了SiC非晶薄膜，并对其进行了退火处理。用时M观察了薄膜的表面形貌，测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线．对其导电机理进行了分析。结果表明：薄膜表面平整、结构紧凑；退火处理前后电阻R和温度T均满足表达式ln R∝ △W/kT，电子激活能AW的变化范围为0．0142eV～0．0185eV，分析推断确定在25℃至250℃其导电机理为定域态间近程跳跃电导；退火前后薄膜的电子激活能和电阻率有相同的变化趋势，均随退火温度的升高而增大，这为薄膜的导电机理和激活能随退火温度变化趋势的