质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：TRACY101688

【摘要】

：

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ；电容测试结果表明：质子注

【作者】

：

刘国利张佰君

【机构】

：

中国科学院半导体所国家光电子工艺中心

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

DFB激光器质子注入平面掩埋半导体激光器 DFB laser proton implantation capacitance modulation ban

【基金项目】

：

86 3高技术计划资助项目![86 3- 30 7- 11- 1(0 4) ,86 3- 30 7- 11- 1(15 ) ],,国家自然科学基金资助项目!(6 9896 2 6 0 )

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报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ；电容测试结果表明：质子注入使ｐｎｐｎ结构的势垒电容明显减小，激光器的寄生电容由注入前的约１００ｐＦ降至注入后的６ｐＦ；激光器的３ｄＢ调制宽带由注入前的５００ＭＨｚ提高到５．６６ＧＨｚ。高温老化筛选结果表明

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