SiC(0001)(√3 √3)R30 结构的XPS分析

来源 :北京交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yux444
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不断加热富硅SiC(0001)样品,分别用低能电子衍射(LEED)仪,扫描隧道显微镜(STM)观察,当加热到950 ℃时,出现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC(0001)(√3×√3)R30°结构的角分辨X射线光电子能谱(XPS).采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC(0001)(√3×√3)R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面仅由硅原子形成.
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