透明导电氧化膜的功函数对μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能影响的数值模拟

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用AFORS-HET软件分析了透明导电氧化膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)的功函数对μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响。模拟结果表明,透明导电氧化膜的功函数会强烈影响太阳能电池的性能如V_(oc)和FF。当透明导电氧化膜的功函数在TCO/μc-Si:H(n)界面小于4.4 eV、μc-Si:H(n)发射层的厚度为6 nm,透明导电氧化膜的功函数在μc-Si:H(p+)/TCO界面大于5.2 eV且透明导电氧化膜为ZnO时,模拟的具有纹理结构
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