【摘 要】
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薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表
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薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数（Q）高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1-10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波（SAW）器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。
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