【摘 要】
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在上海光源BL14W1线站建立了掠入射XAFS(GI-XAFS)方法,利用GI-XAFS方法并结合X射线反射(XRR)研究了直流磁控溅射方法生长在W/Si基底上的Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构随Ni层厚
【基金项目】
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中国科学院知识创新项目(KJCX2-YW-N43);上海市科委重点基金(09JC1417100);中科院上海应用物理所领域前沿项目(54O95501A);国家自然科学基金青年基金(10705046)资助
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在上海光源BL14W1线站建立了掠入射XAFS(GI-XAFS)方法,利用GI-XAFS方法并结合X射线反射(XRR)研究了直流磁控溅射方法生长在W/Si基底上的Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构随Ni层厚度的变化。结果表明,随着薄膜厚度的增加,Ni/Ti界面层间的相互扩散有所增加,Ni层厚度为5 nm时,Ni/Ti界面层间的扩散厚度为2 nm左右;Ni层厚度为1 nm时,由于无序度较大,Ni-Ni配位和Ni-Ti配位的键长有所收缩;随着薄膜Ni层厚度的减小,无序度逐渐增加,Ni-Ti配位增加,Ni-Ni配位减少。
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