论文部分内容阅读
基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ－２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读了铁电随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。