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铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一。本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量。同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低。
石英坩埚表面涂层对铸造多晶硅生长中杂质传输的影响
【摘 要】
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铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一。本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层
【机 构】
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江苏大学能源与动力工程学院
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2013年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金青年基金(51206069);江苏省自然基金青年基金(BK2012295)
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