Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lfastcandmuzi

【摘要】

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采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明：Co2＋受预沉

【作者】

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王博刘芳洋李劼赖延清张治安刘业翔

【机构】

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中南大学冶金科学与工程学院

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2011年4期

【关键词】

：

CoSe薄膜循环伏安欠电位沉积带隙宽度太阳电池 CoSe thin films cyclic voltammetry under potential

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采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明：Co2＋受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为？0.5V（vs SCE）、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×

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