【摘 要】
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据《Electronics Lett.》1989年第20期报道,由于Inp材料比GaAs具有更高的热导率.同时高电子迁移率和高饱和速度的GaInAs材料亦与InP晶格匹配,因此,采用InP材料制成的HEMT器件
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据《Electronics Lett.》1989年第20期报道,由于Inp材料比GaAs具有更高的热导率.同时高电子迁移率和高饱和速度的GaInAs材料亦与InP晶格匹配,因此,采用InP材料制成的HEMT器件具有诱人的应用前景.美国Varian研究中心制成了以InP为衬底的HEMT毫米波单片放大器.InP也是长波长激光器使用的材料,因此,这一工作可以推广应用于长波长激光器与高性能微波器件集成的光电子电路的研制.
According to “Electronics Lett.” 1989, No. 20 reported that due to Inp material has a higher thermal conductivity than GaAs. At the same time, high electron mobility and high saturation rate of GaInAs material is also lattice matching with InP, so the use of InP material Made of HEMT device has an attractive prospect.Varian Research Center made in the United States to InP-based HEMT millimeter-wave monolithic amplifier. InP is also used for long wavelength laser material, so this work can be widely used in Development of Optoelectronic Circuits with Long Wavelength Laser and High Performance Microwave Devices.
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