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采用垂直提拉法生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率，自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ；Ｍｎ：ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值，增益反馈系统，以Ｚｎ；Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质，实现了关联存储。Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。
Ce：Mn：SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究
【摘 要】
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采用垂直提拉法生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率，自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ；Ｍｎ：ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值，增益反馈系统，以Ｚｎ；Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质，实现了关联存储。Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体的位
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家“八六三”计划
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