【摘 要】
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优化设计了975nm分布反馈激光器的一级布拉格光栅结构。将纳米压印技术与干法刻蚀工艺相结合制备周期为148nm的光栅结构,通过优化调整刻蚀气体流量比、腔室压强和偏压功率等
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;
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优化设计了975nm分布反馈激光器的一级布拉格光栅结构。将纳米压印技术与干法刻蚀工艺相结合制备周期为148nm的光栅结构,通过优化调整刻蚀气体流量比、腔室压强和偏压功率等参数,得到了合适的光栅刻蚀工艺参数。扫描电子显微镜测试显示,光栅周期为148nm,占空比接近50%,深度合适,表面形貌、连续性和均匀性良好。将所制备光栅应用于975nm分布反馈激光器中,激光器输出性能良好,波长随温度漂移系数小,光栅对波长的锁定效果良好。
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