为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/GaN HEM T器件结构.UGB-AlGaN/GaN HEMT结构通过在栅电极和漏电极之间引入均匀分布的凹槽AlGaN势垒,降低了AlGaN层极化强度,导致沟道2DEG浓度下降,形成低浓度的2DEG区域,使器件沟道2DEG分布由均匀分布变成凹槽台阶状分布,从而调节器件的表面电场.利用电场调制效应在凹槽右侧形成新的电场峰值,有效降低栅极边缘的高峰电场.同时,优化
针对新兴应用的低时延需求以及移动边缘计算网络中移动设备趋于密集化,同时闲置计算资源丰富,使得系统计算资源利用率低下,考虑基于设备到设备通信的计算卸载有望满足新兴应用低延迟要求.另外,移动设备将计算密集型应用通过设备到设备通信卸载到空闲设备,能够提高计算资源利用率,缓解移动边缘计算网络计算压力.考虑移动边缘计算网络,利用网络模体对系统进行分析,捕获系统空闲计算资源,实现设备到设备卸载.具体来说,考虑基于网络基本组成结构、卸载数据流向的空闲计算资源发掘问题,结合链路传输质量及中断概率,利用KM(Kuhn-Mu
针对AlGaN/GaN HEM T器件存在的GaN缓冲层漏电和栅极漏端处电场集中效应导致器件耐压性能不高,无法完全发挥GaN材料高击穿电压优势的问题,提出了一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT器件结构.该结构主要有2个特点:一是缓冲层材料用禁带宽度更大的Al0.05 Ga0.95 N代替GaN,以减小缓冲层漏电,提高击穿电压;其次是在栅漏间势垒层上外延一层极化调制层,该极化调制层由Al组分沿材料生长方向线性降低的AlxGa1-xN(0
针对小型电子接插件插针位置的高精度检测,提出一种基于改进Zernike矩和均值漂移的亚像素检测方法.基于Canny算子进行边缘粗定位,提取插针感兴趣区域;改进传统Zernike矩法的模板尺寸,结合最大类间方差法实现自动最佳阈值选择;采用均值漂移对边缘点聚类,根据最小二乘法进行椭圆拟合,实现各插针位置的亚像素定位.仿真实验与实际测试结果表明,该方法能实现插针位置精确定位,定位误差在0.2像素范围内,具有定位精度高、噪声敏感度低的优点.
为了对潜在β-内酰胺酶蛋白质的功能和性质进行深入分析,构建了一个包含蛋白质信息注释、预测和特征性分析的综合平台(BLHub).BLHub采用Java、Bootstrap3.3.6、Ajax、jQuery、MySQL和Strust2等技术实现了平台前后端的数据交互,并且该平台整合了丰富的、多源的蛋白质注释信息,包括蛋白质结构信息、蛋白质活跃位点、蛋白质分类系谱以及抗生素耐药性信息等.同时平台嵌入了机器学习的预测模型,能有效发掘潜在的β-内酰胺酶并判断其所属子类.此外,BL Hub能对潜在的β-内酰胺酶进行后
针对高光谱图像传统分类方法精度低、模型稳定性差而深度学习模型时间消耗大、计算成本高的问题,充分考虑高光谱图像的光谱信息和空间信息,提出了一种基于栈式压缩自编码的高光谱图像分类方法.将提取的邻域空间信息与待分类像素点的光谱信息融合,利用栈式压缩自编码提取融合后信息的深层特征,再利用逻辑回归确定高光谱图像中各像素点的类别.该方法在Indian Pines和Pavia University数据集上的总体分类精度分别达到了89.943％、93.949％.相比其他方法,该方法分类性能更优,可用于高光谱图像分类.
在偏标记学习问题中,每个样本都有一个对应的候选标签集,而其中只有一个标签是真实的标签,其余标签为伪标签,如何利用标签不确定的数据训练得到稳定的分类模型是偏标记学习的主要研究任务.为了解决偏标记学习领域标签信息未得到充分利用的问题,提出一种改进特征引导消歧的偏标记学习算法.通过最小二乘法计算特征之间的相似程度,利用样本与近邻样本标签的皮尔逊相关系数来确定样本之间的相似程度,并确定一个样本间的综合相似度完成消歧.在分类阶段采用bagging策略来构建分类决策树,实现对数据的分类.在UCI数据集和偏标记数据集上
为了实现独立园区污水中污染物的高效稳定去除,采用SBR间歇曝气-U ASB厌氧组合工艺,分析了夏冬两季独立园区混合污水的处理效果和微生物群落特征.实验结果表明:SBR间歇曝气-U ASB厌氧组合工艺可实现独立园区污水中污染物的高效去除,夏季和冬季出水COD平均浓度分别为29.42、44.44 mg·L-1,出水氨氮的平均浓度分别为1.08、3.90 mg·L-1,经化学除磷后,夏季和冬季出水TP平均浓度分别为0.099、0.100 mg·L-1,达到了《城镇污水处理厂污染物排放标准(GB 18918—20
为了提高非富勒烯有机太阳能电池(NF-OSCs)的效率和稳定性,提出了一种新的策略对阴极界面材料ZnO改性.通过引入小分子DL-硫辛酸(DLTA)修饰溶胶凝胶ZnO,得到一种新的阴极界面材料DLTA-ZnO.与原始ZnO相比,DL-TA-ZnO的功函数降低,接近受体材料的LUMO能级,实现了阴极界面层与受体材料之间良好的欧姆接触,可以促进电子的传输和收集.此外,由于DLTA-ZnO中的羧基可以与ZnO配位,使DLTA-ZnO中的氧缺陷被钝化,有利于抑制载流子复合,获得较高的JSC.DLTA-ZnO表现出粗
水泥-水玻璃(C-S)双液注浆材料在工程中具有广泛的应用,但存在凝结快、成本高和耐水性差等问题.论文研究了粉煤灰、钢渣粉、矿渣粉等矿物掺合料对C-S注浆材料凝结硬化性能的影响,测试了C-S注浆材料的凝胶时间、固结体强度、耐水性能和孔隙率.结果表明:矿物掺合料由于其二次水化反应和填充效应,能够有效的延缓C-S注浆材料的凝胶时间、降低固结体的孔隙率和提高耐水性能.粉煤灰降低了固结体强度,钢渣粉和矿渣粉在掺量适宜时能够提高固结体强度.矿物掺合料引入C-S注浆材料具有一定的可行性.