虚阴极振荡器研究进展

来源 :电子科技导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cramzhou
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文综述虚阴极振荡器研究进展,特别介绍了提高效率和获取锁频、锁相微波输出的方法,对虚阴极振荡器存在的问题和前景作了阐述
其他文献
’96世界神经网络大会印象迟惠生(北京大学)丁晓青(清华大学)1概况1996年世界神经网络大会(WCNN’96)于9月15日至18日在美国圣迭戈市召开,与会者约400人,交流文章300多篇。本次会议继续了以往的做法,除了安排各
硅基异质结构的研究郑宜钧(中国华晶电子集团公司)1引言1.1硅基异质结构的研究随着微电子技术应用要求越来越高,Si器件的物理、电学性能极限显露越明显。因此,非常有必要寻求一种新的材
英国著名思想库“牛津经济预测中心”近日公布最新研究报告指出,根据该中心的测算,由于2000年问题的影响全球经济增长率平均每年将减慢03%。研究报告指出,2000年问题对全球经济发展的减速
就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术。
本文从航天飞机谈起,简要介绍了“梯度功能材料”的基本概念及其在信息技术领域的应用。
论述了VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术,并进而讨论了VLSI可靠性工程技术发展趋势。
本文简要论述同步数字序列(SDH)的发展历史,TMN(电信管理网)与SDH管理网的关系,重点探讨了在研究开发SDH管理网时所需考虑的几个重要问题
本文对传输线矩阵(TransmissionLineMatrix,TLM)方法在电磁辐射和散射等开放场问题中的最新应用成果进行了总结。并指出TLM方法在这一领域中具有广阔的应用前景
本文全面介绍了高温MOS器件物理基础、宽温我MOSFET和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温MOS器件设计的特殊考虑和优化设计、高温MOS器件模拟技术及模拟和验证。
全国第八届数据通信学术会议简介由中国通信学会计算机通信专业委员会和中国电子学会通信学分会联合主办,电子工业部第五十四研究所承办的“全国第八届数据通信学术会议”,于1996年