【摘 要】
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用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS)多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌春电学性质,分析结果,Cu-In
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用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS)多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的结构、表面形貌春电学性质,分析结果,Cu-In合金膜仅有单峰,晶面间距约2.13A,CIS薄膜的几个主峰与PDF卡中的数据对应得好,并且(112)峰有择优取向,CIS样品的电学参数随着Cu/In比例和基片种类的不同而变化,而电阻从几个到几十个Ω/□,面载流子浓度达10^18/cm^2数量级,迁移率在0.1-3.0cm^2/V.s之间,并讨论了Cu/In比例对两种薄
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