优质半导体Si材料的外延生长——在Si上外延生长用于光和电子器件的Ge-Si合金及金属硅化物

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自从五十年代人们发明了晶体管以来,硅单晶一 直在现代微电子技术中担当主角.但在未来微电子技 术的发展中,Si的地位将有可能不断下降.这是由Si 本身的性能造成的:Si的载流子迁移率、载流子饱和 漂移速率都小于GaAs,Si集成电路的运算速度远慢于 GaAs集成电路.又由于Si属间接能 Since the invention of transistors in the 1950s, silicon single crystal has been the protagonist of modern microelectronics, but in the future development of microelectronics technology, Si’s position will likely continue to decline.This is caused by the performance of Si itself : Si carrier mobility, carrier saturation drift rate are less than GaAs, Si integrated circuit operation much slower than GaAs IC. And because Si is indirect
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