【摘 要】
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根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范
【机 构】
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“纳米器件与物理化学”教育部重点实验室北京大学信息科学技术学院,京东方科技集团股份有限公司,
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根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范围大的优势。这种阈值调控方法不仅是对常规晶体管阈值调控方法的有益补充,同时也对碳纳米管薄膜晶体管的实际应用进程具有重要的促进作用。
According to the unique seepage transport mechanism of carbon nanotube TFT, the threshold voltage of the device is controlled by changing the channel length of the device. Compared with the usual transistor threshold voltage control method, this method has the advantages of simple process and large range of threshold voltage control. The method of threshold adjustment is not only a useful supplement to the conventional threshold regulation method of transistors, but also plays an important role in the practical application of CNT thin film transistors.
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