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在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ，四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算。结果表明团簇效应在该系统中严重存在，计算了对分布几率随组分值和温度的变化，对于该效应固溶隙计算的影响作讨论。
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应
【摘 要】
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在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ，四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算。结果表明团簇效应在该系统中严重存在，计算了对分布几率随组分
【机 构】
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北京师范大学物理系,中国科学院半导体所中科院半导体材料科学开放实验室,北京大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年10期
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