【摘 要】
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研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层／金属薄膜／硅衬底（Si：SiEr／Metal／Si,SEMS）型硅基激光器结构。利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1．54μm波长点的光学增益
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）,乔治亚理工学院电子与计算机工程学院
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研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层／金属薄膜／硅衬底（Si：SiEr／Metal／Si,SEMS）型硅基激光器结构。利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1．54μm波长点的光学增益特性。通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量，减小表面等离子体激元所带来的光学损耗。结果表明，当金属材料厚度小于20nm时，硅基激光器的净增益系数范围为1～36cm^-1。
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