Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs／GaAs／InGaAs quantu

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：s334794681

【摘要】

：

Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth interruption and strain buffer layer we

【作者】

：

PANJiaoqing HUANGBaibiao ZHANG

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofCrystalMaterials,ShandongHuaguangOptoelectronicsCo.Ltd

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

量子势阱砷化镓铝镓砷化合物铟镓砷化合物有机金属化学蒸汽沉积应力缓冲层光致发光特性生长中断激光二极管 AlGaAs/GaAs/InGaAs str

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Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth interruption and strain buffer layer were introduced to improve the photoluminescence (PL) performance of the InGaAs/GaAs quantum well

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