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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:danNyZ
【摘 要】
:
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态
【作 者】
:
潘炜
张晓霞
【机 构】
:
西南交通大学计算机与通信工程学院,610031
【出 处】
:
量子电子学报
【发表日期】
:
1999年4期
【关键词】
:
垂直腔面发射
半导体激光器
VCSELS
速率方程
VCSELs
enhancing effect of spontaneous emission
spon
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依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V
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