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依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程，并给出了其方程的严格解析解，在此基础之上，讨论了ＶＣＳＥＬＳ的稳态特性，并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较，给出了Ｖ
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
【摘 要】
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依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程，并给出了其方程的严格解析解，在此基础之上，讨论了ＶＣＳＥＬＳ的稳态
【机 构】
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西南交通大学计算机与通信工程学院,610031
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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1999年4期
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