【摘 要】
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为有效控制SiC／Al复合材料制备过程中的界面反应，分析了SiC／Al复合材料可能发生的界面反应，并基于Gibbs-Helmhohz方程式和化学反应的热力学平衡条件，应用基本热力学数据，计算了反应
【机 构】
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宁夏大学物理电气信息学院,西北工业大学航空学院
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为有效控制SiC／Al复合材料制备过程中的界面反应，分析了SiC／Al复合材料可能发生的界面反应，并基于Gibbs-Helmhohz方程式和化学反应的热力学平衡条件，应用基本热力学数据，计算了反应标准Gibbs自由能随温度的变化值．根据化学平衡理论，进一步分析了在界面上生成的Al4C3和MgAl2O4的热力学稳定性．结果表明：当界面上硅活度大于某一临界值A^0 Si时，界面上不能生成稳定的Al4C3，且A^0 Si随温度的升高而下降，在1000K时有一个跳跃；A^0 Si界面上生成MgAl2O4的反应过程
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