【摘 要】
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近几年来,超大规模集成电路制造技术发展之快简直令人吃惊,其部分研究成果,在本刊上已有过报道。设计规则为2微米的64K位器件的研制工作已告结束,并正在采用电子束直接描画
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近几年来,超大规模集成电路制造技术发展之快简直令人吃惊,其部分研究成果,在本刊上已有过报道。设计规则为2微米的64K位器件的研制工作已告结束,并正在采用电子束直接描画法试制设计规则为1微米的256K及512K位器件。按这个势头发展下去,要不了多久,1M位器件也将变成现实。
In recent years, the development of very large-scale integrated circuit manufacturing technology is almost surprising. Some of its research results have been reported in this issue. The design rule for the 2-micron 64K-bit device has been completed, and the electron-beam direct drawing method is being piloted to design a 1-micron 256K and 512K-bit device. According to this momentum to develop, or soon, 1 Mbit devices will also become a reality.
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