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在低压下,以甲烷和氢的混和气为原料,应用热丝 CVD 法,在 Si 基片上生长出了金刚石薄膜。经 X 射线衍射、激光刺曼光谱和扫描电子显微镜分析,生长产物呈多晶金刚石结构。探讨了金刚石薄膜的生长机理。
低压气相生长金刚石薄膜
【摘 要】
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在低压下,以甲烷和氢的混和气为原料,应用热丝 CVD 法,在 Si 基片上生长出了金刚石薄膜。经 X 射线衍射、激光刺曼光谱和扫描电子显微镜分析,生长产物呈多晶金刚石结构。探讨
【机 构】
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中国建筑材料科学研究院,中国建筑材料科学研究院
【出 处】
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材料科学进展
【发表日期】
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1990年3期
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