CdZnTe晶片的Raman光谱研究

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利用Raman光谱技术研究了CdZnTe晶片表面处理方法、激光功率及波长变化对CdZnTe晶片的Raman谱线影响。研究表明:CdZnTe晶片分别经过机械抛光、Br-MeOH溶液处理以及Br-MeOH溶液+KOH/甲醇溶液处理后,由于表面晶格完整性的改变,Raman光谱出现了明显变化。采用514.5nm、632.8nm及785nm激光激发CdZnTe晶片时,晶片的Raman波谱也有所不同,其中用785nm激光激发样品,荧光发光峰位于100~200cm-1范围,掩盖了晶片Raman特征峰。在对CdZnTe晶
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