【摘 要】
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SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达
【机 构】
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SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。
SiGeC ternary alloy has become one of the hot spots in recent years. Carbon at an alternative location can relieve the strain of SiGe alloy while adjusting its energy band, providing greater flexibility in band engineering. In this paper, we use the UHV / CVD technology to grow a silicon germanium-carbon-carbon alloy with a carbon content up to 2.2%, obtain a good epitaxial layer quality, and study the strain relief effect of carbon.
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