论文部分内容阅读
Ga0.5In0.5P合金材料的高压光致发光研究
【出 处】
:
发光快报
【发表日期】
:
1992年1期
其他文献
宽禁带Ⅱ—Ⅵ族化合物,例如 ZnSe 和ZnS 是用于发蓝光的光电子学器件的有前景的材料,但却很难实现对 p—型电导的控制,这主要是生长在不同衬底材料上的外延层内的晶格失配导
先前已经报导了用助熔剂硫化法制备硫化钙(CaS)荧光体的方法,原料是含有激活剂的含钙化合物,作助熔剂用的 Na<sub>3</sub>CO<sub>3</sub>,以及过量的硫磺混合物。CaS 还可以用
本文综述过去二年中分子荧光和磷光的动态测定以及化学和生物发光的重要进展,重点放在紫外和可见波段分子发光方面。一、分子发光的动态测定方法
<正> 引言这项工作的目的是检测 ZnS:Mn ACTFEL 器件列外加电压波形的电学响应特性,并采用精确的等效电路来模拟这一响应过称。重点放在标准 Q—V 曲线的三个部分以评价电学