论文部分内容阅读
本文主要讲述了SV-TMR结构中以自由层为模拟的多层膜SiO2/NiFe/Ta与SiO2/NiFe/Ru中,不同厚度的保护层钽(Ta)和钌(Ru)对磁性层NiFe的影响.我们采用振动样品磁强计(VSM)和X射线衍射仪(XRD)对该薄膜进行了结构测试和深度剖析,结果表明:改变保护层厚度时,两种样品的饱和磁化强度不变,随Ru厚度的增加,样品SiO2/NiFe/Ru的矫顽力也增加.同时用XRD测量发现,以Ru为保护层生长的样品比Ta为保护层生长的样品具有更好的织构,更好的结晶性.Ru比Ta更适合做磁电阻多层膜的