【摘 要】
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利用电容法、剥离法和二次离子质谱(SIMS)技术测出了在发射极砷扩散之前注入基区的硼的分布。与没有砷的具有类似工艺过程的器件相比较表明:这些杂质之间的相互作用的最终效
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利用电容法、剥离法和二次离子质谱(SIMS)技术测出了在发射极砷扩散之前注入基区的硼的分布。与没有砷的具有类似工艺过程的器件相比较表明:这些杂质之间的相互作用的最终效果是使总的基区杂质浓度在接近发射极边缘有一个过份的下降。这个结果与考虑到离子配对、场效应和局部空位欠饱和的Fair计算的分布比较一致。
The distribution of boron injected into the base region before emitter arsenic diffusion was measured by the capacitance method, lift-off method and secondary ion mass spectrometry (SIMS) technique. A comparison of devices with similar processes without arsenic shows that the net effect of the interaction between these impurities is that the total base impurity concentration has an excessive drop near the emitter edge. This result is in good agreement with the distribution of the Fair calculations that account for ion pairing, field effects, and partial vacancy undersaturation.
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