Effect of Temperature on Multiple Cell Upset of Triple-well SRAM

来源 :Annual Report of China Institute of Atomic Energy | 被引量 : 0次 | 上传用户:paokahh
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The temperature dependency of multiple cell upset(MCU)in 65 nm CMOS SMIC65LL technology SRAM over a temperature range of 213 K to 450 K for Ge ion irradiation was investigated.As shown in Table 1 are the measured MCU along longitudinal direction for writing all 1,and The temperature dependency of multiple cell upset (MCU) in 65 nm CMOS SMIC65LL technology SRAM over a temperature range of 213 K to 450 K for Ge ion irradiation was investigated. As shown in Table 1 are the measured MCUs along the longitudinal direction for writing all 1 , and
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