梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg0.3Zn0.7O薄膜外延生长

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tentworth789

【摘要】

：

为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相Mgx

【作者】

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郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明

【机构】

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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学,东北师范大学先进光电功能材料研究中心

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2014年9期

【关键词】

：

立方MgZnO 缓冲层带隙调制 cubic MgZnO buffer layer bandgap modulation

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(2011CB302006,2011CB302002),国家自然科学基金(61376054,11174273,11104265,61177040)资助项目

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为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长29

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