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一、从Ｚ元件到Ｆ元件自１９９３年以来，Ｚ元件（Ｚ元件以苏联科学家ＶＺＯＴＯＶ命名的）在世界及我国引起轰动。据清华大学董名垂和孙星在１９９５年６月和１１月的《电子产品世界》上报导：Ｚ元件是由高阻Ｎ型硅扩ＡＩ形成ＰＮ结，然后扩Ａｕ而形成。这种元件正向输入直流电压，可得到幅值为输入电压２０～４０％的直流脉冲，频率随温度、湿度、磁场、流量、光强、射线等物理量变化，无需前置放大和Ａ／Ｄ转换直接得到数字信号（准确地说是脉冲信号）。Ｚ元件先后申请了俄罗斯、欧洲、日本、美国的专利，专利报价为１０亿美元。那时以来，我国不少