Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3薄膜的介电调谐性能

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采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3(BZT)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BZT微结构和介电调谐性能的影响.结果表明Mg掺杂BZT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;5mol%Mg掺杂BZT薄膜有最大的优值因子为16.3,其介电常数、介电损耗和调谐量分别为289.5、0.016和26.8%.
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