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为使依托中国先进研究堆（CARR）进行的冷中子散射实验拥有更高质量的中子束流，本工作对中子散射工程中的中子导管系统各参数进行分析研究，并首次在国内应用等效中子导管理论，结合解析计算确定出优化的导管方案。同时，应用VITESS程序对各导管方案得到的中子束流进行了模拟，在综合考虑导管系统几何布局及中子束流的发散度影响后，探讨出若干符合实际的设计方案。尔后，利用导管位置计算程序NGPS，计算出各导管方案中每个导管单元的位置坐标。最终，根据各项指标对模拟的各导管方案进行对比，优选出CNGA、CNGB、CNGD3套