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英特尔与美光称日前宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。
英特尔8GB产品将于下半年开始量产
【摘 要】
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英特尔与美光称日前宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2011年5期
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