【摘 要】
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80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
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80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电阻仪测量了砷杂质的电激活过程。
When 80 keV As ~ + was implanted into Si at a dose of 5 × 10 ~ (15) cm ~ (-2), a transmission electron microscope was used to observe the formation of an amorphous layer of 1000 A in silicon and a Wrong ring. The phase transformation and defect evolution of amorphous layer during transient annealing and thermal annealing were also studied, and the optimal annealing conditions were obtained. The electrical activation of arsenic impurities was measured with an extended resistance meter.
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