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半导体宽频带放大器受中子辐照后，由于晶体管电流放大倍数减小而导致电路放大能力下降。本文利用变容二极管受中子辐照后其偏置电容要减小的特性。对一种宽频带放大器电路进行了抗中子加固设计。计算机模拟结果表明，经加固的宽频带放大器在达到１．３５×１０＾１４ｎ／ｃｍ＾２中子注量时，其放大能力也不会衰减。相对未加固电路，抗中子能力提高了许多。