NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象

来源 :河北工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:thomas012
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实验结果表明NTDFZSi片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关。在由1200℃冷却到室温的过程中,冷却速度越快,硅片电阻率下降的幅度越大。另外,样品的厚度也是一个重要因素。实验指出,当样品厚度在1200μm以上时,硅片电阻率变化很小。特别值得指出的是,那些经高温退火电阻率下降的硅片再经650~680℃低温退火,可使硅片的电阻率得到回复。
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