低阻抗大面积二极管的研制

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采用高纯石墨环状阴极和有机玻璃绝缘子,研制了一套低阻抗大面积二极管系统。使用理论计算和数值模拟方法对二极管进行优化设计,在保证绝缘要求的同时,尽量优化二极管轴向长度和内外筒距离以减小二极管的回路电感。实验结果表明,优化后的二极管能在200kV左右的电压上稳定工作,绝缘结构未发生击穿现象;实验中最高输出电压为213kV,电流为221kA,特性阻抗约为1Ω,电流密度为8kA/cm2,脉宽(FWHM)为50ns。 Using high-purity graphite ring cathode and plexiglass insulator, developed a set of low-impedance large-area diode system. The theoretical calculation and numerical simulation are used to optimize the diode design. In order to reduce the diode inductance, the diode axial length and the distance between the inner cylinder and the outer cylinder should be optimized as much as possible to ensure the insulation requirement. The experimental results show that the optimized diode can work stably at a voltage of about 200kV without any breakdown of the insulating structure. The maximum output voltage is 213kV, the current is 221kA, the characteristic impedance is about 1Ω, the current density is 8kA / cm2 , Pulse width (FWHM) is 50ns.
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