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压力传感器技术虽然建立和发展得较早,但由于价格昂贵、输入一输出特性非线性严重以及难以敏感微小的压力,因而仍难以适应当前飞速发展的广泛需要.美国Silicon Microstructures INC.(SMI-EXAR公司的一个全资子公司)开发了一系列低价位、线性度在0.1%到0.05%范围内的硅微结构压阻式低压传感器,满量程为0.3、0.5、0.8、1.5、3(psi);最低满量程为0.15(psi)(0.01kg/cm~2,10mbar或1kPa),被列为超低压力测量范围.本文简述了硅微结构和SM