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用正电子湮没技术，结合扫描电子显微镜结构分析，研究掺杂Nb2O5的ZnO导电陶瓷掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响。结果表明正电子会被锌空位和微空洞缺陷捕获。随着Nb2O5含量的增加，晶界上单位体积VZa数量增多。随烧结温度升高，晶界层VZn浓度增加，ZnO界面微空洞缺陷减小，材料变得致密。随烧结时间增加，VZa增加不明显，ZnO界面微空洞缺陷增大，材料变得疏松。