【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波赝势方法,探究四种ZnO-Σ7（1230）孪晶界中VZn-NO-H复合体的电子结构和p型导电机理.计算结果表明,在ZnO-Σ7（1230）孪晶界中,N掺杂后会与
【机 构】
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桂林理工大学、有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,桂林理工大学材料科学与工程学院,广西大学化学化工学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：11364009）, 广西自然科学基金（批准号：2014GXNSFFA118004）资助的课题
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采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波赝势方法,探究四种ZnO-Σ7（1230）孪晶界中VZn-NO-H复合体的电子结构和p型导电机理.计算结果表明,在ZnO-Σ7（1230）孪晶界中,N掺杂后会与锌空位（VZn）、氢填隙（Hi）等点缺陷结合,进而形成VZn-NO-H复合体,并出现在孪晶中的晶格应变集中区.此外,四种孪晶界中孪晶GB7a有利于VZn-NO-H离化能降低,从而使其表现出浅受主特征.分析显示特殊的孪晶结构导致了氮替位（NO）与近邻的O原子间距离缩短,阴离子之间发生相互作用,导致禁带中的空带能
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