【摘 要】
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报导了在c-Al2O3衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS2薄膜,并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92:1,在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移,说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外,通过拉曼和光致发光分布图,证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中,单层二硫化钼样品具有最强的光响应,达到3 mAW−1
【机 构】
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华东师范大学物理与电子科学学院,复旦大学上海智能电子与系统研究院
【基金项目】
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Supported by the National Key R&D Program of China(2018YFB0406500,2019YFB2203400),the Natural Science Foundation of Chi⁃na(91833303,61974043,61674057),Projects of Science and Technology Commission
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报导了在c-Al2O3衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS2薄膜,并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92:1,在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移,说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外,通过拉曼和光致发光分布图,证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中,单层二硫化钼样品具有最强的光响应,达到3 mAW−1
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