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利用双探针对ECR-PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR-PECVD等离子体参数的影响。结果表明，在ECR-PECVD等离子体装置中，基片射频偏置对电子温度有影响，而等离子体密度主要由微波功率所决定。
射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量
【摘 要】
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利用双探针对ECR-PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR-PECVD等离子体参数的影响。结果表
【机 构】
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中国科学院等离子体物理研究所
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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2004年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(19835030)
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