不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lxfsb001

【摘要】

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为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱

【作者】

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张奇灵尧舜杨翠柏张杨陈丙振常晓阳王智勇

【机构】

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北京工业大学激光工程研究院,瑞德兴阳新能源技术有限公司

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2016年6期

【关键词】

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GaInAs/GaAsP 量子阱外量子效率太阳能电池 GaInAs/GaAsP quantum well EQE solar cell

【基金项目】

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北京市委组织部优秀人才培养计划（2012D005015000005）, 北京市教委项目（KM201110005017）资助

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为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品,利用高分辨率X射线衍射仪（HXRD）和高分辨率透射电镜（TEM）测试了样品的晶体质量,同时在AM0（1×）光谱条件下测试了样品的I-V特性曲线和相应子电池的外量子效率。最终得到了高晶体质量、吸收截止波长在954 nm的Ga_（0.89）In_（0.11）As/GaAs_（0.92）P_（0.08）

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