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对Ｈ２－ＭＴＳ体系化学气相沉积制备ＳｉＣ涂层进行了实验研究。结果表明，热力学计算能够对Ｈ２－ＭＴＳ体系单相ＳｉＣ的沉积进行很好的预报。动力学实验显示：在８００￣１０００℃之间，沉积过程由化学动力学控制，此时ＭＴＳ热解为一级反应，反应活化能为１９９ｋＪ／ｍｏｌ，而在１０００￣１１５０℃之间沉积过程由扩散控制。ＸＲＤ结果显示制备的是β－ＳｉＣ，形态为球形，涂层的生长可以用三维形核生长模型来描述。