论文部分内容阅读
为了研究硅光电倍增器(SiPM)在低温下能否正常工作, 选取了两种典型的SiPM, 通过液氮制冷方式, 对SiPM在不同温度下的反向伏安特性进行了研究。结果显示, 不同SiPM的过偏压范围(VB~Vb)随温度的变化差别很大, 并且微量水蒸气凝结仅对未封装的SiPM伏安特性的Vb~VB段有明显影响。分析实验结果得出, SiPM正常工作电压的范围在很大程度上受到衬底材料中缺陷和陷阱浓度的影响。在低温下工作的SiPM, 要求其衬底材料中缺陷和陷阱的浓度更低。在进行SiPM的低温应用和测量时, 应密切监视偏压加在Vb~VB区间时, 器件的电流是否有变化, 而不能只观察击穿之前SiPM的漏电情况。