静态随机存储器低泄漏设计技术

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【摘要】

：

随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因：（1）芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;（2）每次访

【作者】

：

郭雅琳程滔

【机构】

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工业和信息化部软件与集成电路促进中心,国家基础地理信息中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2012年6期

【关键词】

：

静态随机存储器泄漏功耗待机灵敏放大器 static random access memory leakage power standby

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随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因：（1）芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;（2）每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工作状态.总结SRAM低泄漏的电路设计技术,并总结工艺发展对于低泄漏设计技术的挑战.

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