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用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明，不考虑自旋散射的作用，当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比，发现在铁磁平行（反平行）的条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小（大）。研究结果揭示了该器件的物理机制，为该器件的优化设计提供了理论指导。