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本文提出一个深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的开启电压的解析模模型，它计了影响开启电压的诸多二级效应，例如短沟效应、窄沟效应、漏感应势垒下降效应以及衬底的非均匀掺杂等效应。此外，模型还考虑了极短沟长器件的多晶硅耗尽效应，模型的计算结果和数值器件模拟的结果十分相符。
计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型
【摘 要】
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本文提出一个深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的开启电压的解析模模型，它计了影响开启电压的诸多二级效应，例如短沟效应、窄沟效应、漏感应势垒下降效应以及衬底的非均匀掺杂等效应。此外，模型还考虑了
【机 构】
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清华大学电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年11期
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